APTG600U170D4G транзисторний модуль
N-ch IGBT 0600A00 1700V APTG600U170D4G Microsemi

Производитель: Microsemi

Код товара: Т0000009932

Маркировка: ???

Количество приборов:
свободно
0
ожидается
0
резерв
0
заказано

Параметры

Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Функциональное назначение Trench + Field Stop IGBTTechnology
Напряжение коллектор-эмиттер 1 700 V
Напряжение затвор-эмиттер ±20 V
Ток коллектора max 1 100 A @20*C
Ток коллектора max 600 A @80*C
Ток коллектор импульсный max 1 200 A @25*C
Мощность рассеивания 2 900 W @25*C
Напряжение пробоя диэлектрика 2 500 V
Время включения 280 ns Vbuz=900V@Ic=600A@Vge=±15V@Rg<2R4
Время выключения 850 ns Vbuz=900V@Ic=600A@Vge=±15V@Rg<2R4
Температура рабочая -40...+150 *C

Единицы измерения

Наименование K Вес, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1
шт 1

Корпус

108.0x62.0x36.0mm