Виробник: Infineon
Код товару: Т0000022919
Маркування: G75EH5
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | Highspeed 5 IGBTinTRENCHSTOP 5 technology | ||
| Проводимость | IGBT NPN | ||
| Функціональне призначення контактів | 1-G 2-C 3-E 4-C | ||
| Напруга Collector-Emitter | 650 | V | |
| Струм Collector max | 120 | A | @+25*C |
| Струм Collector max | 75 | A | @+100*C |
| Струм комутованого імпульсу | 300 | A | @Vce<650V@+175*C@tp=1mks |
| Напруга GATE-Emitter | ±20 | V | |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 2,1 | V | max @Vge=15V@Ic=50A@+25*C |
| Напруга порогова включення IGBT транзистора | 3.2...4.8 | V | @Ic=0.75mA@Vce=Vge |
| Потужність розсіювання | 395 | W | @25*C |
| Час увімкнення | 28 | ns | @Vcc=400V@Ic=75A@Vg=0..15V@Rg=8R@30nH... |
| Час вимкнення | 178 | ns | @Vcc=400V@Ic=75A@Vg=0..15V@Rg=8R@30nH... |
| Температура робоча | -40...+150 | *C |
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |