APT35GA90BD15 транзистор
N-ch IGBT 0900V 063A TO-247AE APT35GA90BD15 Microsemi

Виробник: Microsemi

Код товару: Т0000019114

Маркування: ???

Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Функціональне призначення Fast IGBT
Напруга Collector-Emitter 900 V
Напруга GATE-Emitter ±30 V
Напруга порогова включення IGBT транзистора 3...6 V Vge=Vce@Ic=1mA
Напруга Collector-Emitter в відкритому стані 2.5...3.1 V Vge=15V@Ic= 8A
Струм Collector max 63 A @25*C
Струм Collector max 35 A @100*C
Струм Collector імпульсний max 105 A @25*C
Час увімкнення 12 ns @Vcc=600V@Vge=15V@Ic=18A@Rg=10R@+25*C
Час вимкнення 104 ns @Vcc=600V@Vge=15V@Ic=18A@Rg=10R@+25*C
Заряд GATE загальний 84 nC @Vge=15V@Vce=450V@Ic=18A
Заряд GATE-Emitter 14 nC @Vge=15V@Vce=450V@Ic=18A
Заряд GATE-Collector 34 nC @Vge=15V@Vce=450V@Ic=18A
Потужність розсіювання 290 W @25*C
Температура робоча -55...+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1
шт 1 5,9

Корпус

16.26x5.31x21.46+20.32mm ++5.45mm