APT35GA90BD15 транзистор
N-ch IGBT 0900V 063A TO-247AE APT35GA90BD15 Microsemi
Виробник: Microsemi
Код товару: Т0000019114
Маркування: ???
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | Fast IGBT | ||
| Напруга Collector-Emitter | 900 | V | |
| Напруга GATE-Emitter | ±30 | V | |
| Напруга порогова включення IGBT транзистора | 3...6 | V | Vge=Vce@Ic=1mA |
| Напруга Collector-Emitter в відкритому стані | 2.5...3.1 | V | Vge=15V@Ic= 8A |
| Струм Collector max | 63 | A | @25*C |
| Струм Collector max | 35 | A | @100*C |
| Струм Collector імпульсний max | 105 | A | @25*C |
| Час увімкнення | 12 | ns | @Vcc=600V@Vge=15V@Ic=18A@Rg=10R@+25*C |
| Час вимкнення | 104 | ns | @Vcc=600V@Vge=15V@Ic=18A@Rg=10R@+25*C |
| Заряд GATE загальний | 84 | nC | @Vge=15V@Vce=450V@Ic=18A |
| Заряд GATE-Emitter | 14 | nC | @Vge=15V@Vce=450V@Ic=18A |
| Заряд GATE-Collector | 34 | nC | @Vge=15V@Vce=450V@Ic=18A |
| Потужність розсіювання | 290 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 | 5,9 |
Корпус
16.26x5.31x21.46+20.32mm ++5.45mm
