STD3NK80ZT4 транзистор
N-ch 02A500 0800V Dpak STD3NK80ZT4 STM
Виробник: STM
Код товару: Т0000019066
Маркування: 3NK80Z
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал Power MOSFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 800 | V | @Vgs=0 |
| Напруга GATE-DRAIN | 800 | V | @Rgs=20kOhm |
| Напруга GATE-SOURCE | ±30 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 3,8 | Ohm | (typ) 4.5 Ohm(max) @Vgs=10V@Id=1A25 |
| Струм DRAIN | 2,5 | A | @25*C |
| Струм DRAIN | 1,57 | A | @100*C |
| Струм DRAIN імпульсний | 10 | A | |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 4,5 | V/ns | |
| Час увімкнення | 17 | ns | @Vdd=400V@Id=1A25@Rg=4R7@Vgs=10V |
| Час вимкнення | 36 | ns | @Vdd=400V@Id=1A25@Rg=4R7@Vgs=10V |
| Заряд GATE загальний | 19 | nC | @Vdd=640V@Id=2A5@Vgs=10V |
| Заряд GATE-SOURCE | 3,2 | nC | @Vdd=640V@Id=2A5@Vgs=10V |
| Заряд GATE-DRAIN | 10,8 | nC | @Vdd=640V@Id=2A5@Vgs=10V |
| Потужність розсіювання | 70 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 50 | |
| шт | 1 |
Корпус
Dpak 10.10x6.60x2.20mm
