APTM20AM10FTG транзисторний модуль
N-ch IGBT 0175A00 0200V APTM20AM10FTG Microsemi
Виробник: Microsemi
Код товару: Т0000019048
Маркування: ???
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | Power MOS7 FREDFETs | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 200 | V | |
| Напруга GATE-SOURCE | ±30 | V | |
| Струм DRAIN | 175 | A | @20*C |
| Струм DRAIN | 131 | A | @80*C |
| Струм DRAIN імпульсний | 700 | A | @25*C |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 12 | mOhm | @25*C |
| Потужність розсіювання | 694 | W | @25*C |
| Напруга пробою діелектрика | 2 500 | V | |
| Струм лавинний (Avalanche Current) | 89 | A | |
| Енергія імпульсу комутована | 2 500 | mJ | |
| Енергія циклічно комутована | 50 | mJ | |
| Час увімкнення | 28 | ns | Vbus=133V@Id=150A@Vge=15V@Rg<2R5@125*C |
| Час вимкнення | 81 | ns | Vbus=133V@Id=150A@Vge=15V@Rg<2R5@125*C |
| Температура робоча | -40...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
93.0x40.4x21.2mm
