IRFD110PBF транзистор
0110 N-ch 001A00 0100V HD-1 IRFD110PBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000018553
Маркування: IRFD110
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал MOSFET | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 100 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,54 | Ohm | @Id=0A6@Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 1 | A | @25*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 0,72 | A | @100*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN імпульсний | 8 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Енергія імпульсу комутована | 140 | mJ | |
| Час увімкнення | 6,9 | ns | @Vdd=50V@Id=5A6@Rg=24 Ohm@Rd=8.4 Ohm@Vgs=10V |
| Час вимкнення | 15 | ns | @Vdd=50V@Id=5A6@Rg=24 Ohm@Rd=8.4 Ohm@Vgs=10V |
| Потужність розсіювання | 1 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
5.02x6.29x4.57+4.06mm ++2.54mm
