Виробник: IR
Код товару: Т0000011200
Маркування: 7665
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал MOSFET | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 100 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 51 | mOhm | typ 62mOhm max |
| Струм DRAIN | 14,4 | A | @25*C@Vgs=10V@(Silicon Limited) |
| Струм DRAIN | 10,2 | A | @100*C@Vgs=10V@(Silicon Limited) |
| Струм DRAIN імпульсний | 58 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Енергія імпульсу комутована | 37 | mJ | @56mJ (tested value) |
| Потужність розсіювання | 30 | W | @25*C |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 8,1 | V/ns | |
| Заряд GATE-SOURCE | 1,9 | nC | (S1)@0.77(S2) |
| Заряд GATE-DRAIN | 3,2 | nC | @Vds=50V@Vgs=10V@Id=8A9 |
| Час увімкнення | 3,8 | ns | @Vdd=50V@Vgs=10V@Id=8A9@Rg=6.8 Ohm |
| Час вимкнення | 7,1 | ns | @Vdd=50V@Vgs=10V@Id=8A9@Rg=6.8 Ohm |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 4 800 | |
| шт | 1 |